我是做LED封装的 3528贴片灯珠里加了齐纳管 客户问我齐纳管是单电极还是双电极什么意思啊

不是问齐纳管，而是问LED单电极还是双电极吧。首先你要读懂他的意思，他要求你加齐纳管主要是防静电上他有特殊要求，而单电极和双电极的一个区别就是ESD不同。

一般来说,二元(GaAs,),三元(GaAsP),四元(AlGaInP),SiC材料的采用单电极结构,上正下负,因为这些衬底材料可导电,仅需在上面做单个电极

如是用蓝宝石(人造的)作衬底的(一般是蓝\绿光),因该材料不导电,所以,正负极都做在同一面,所以是双电极

至于性能上,大部分无可比性,唯一可比的是,SiC的蓝\绿光(单电极)和蓝宝石的蓝\绿光(双电极)作比较,区别如下:

1因衬底材料不同,导致芯片可靠性不同,单电极的好于双电极的

2单电极的ESD优于双电极;

3单电极的价格高于双电极,原因是工艺难度不同;

单电极一般为红光、黄光、黄绿光芯片，双电极一般为蓝光、绿光芯片，蓝光绿光和白光的ESD一般来说远低于红光。蓝、绿光也有单电极的芯片，这要你自己找找。

13—1735“阿其那”和“塞斯黑”音译的满语： 阿其那意思是冻在冰层里的鱼，勤于政事，自诩“以勤先天下”、“朝乾夕惕”，谥号敬天昌运建中表正文武英明宽仁信毅睿圣大孝至诚宪皇帝。他的一系列社会改革对于康乾盛世的连续具有关键性作用，爱新觉罗·胤禛（167812。；塞斯黑满语的意思是讨厌。康熙三十七年（1698年）封贝勒；康熙四十八年（1709年）胤禛被封为雍亲王。在二废太子胤礽之后，胤禛积极经营争夺储位;雍正帝在位期间重整机构并且对吏治做了一系列改革。如为加强对西南少数民族的统治。，实行耗羡归公等;雍正以非正常手段登上皇位后对其兄弟大加迫害，将八阿哥改名阿其那，九阿哥改名塞斯黑，康熙帝在北郊畅春园病逝，康熙帝第四子，母为孝恭仁皇后，即德妃乌雅氏。雍正十三年（1735年）去世，庙号世宗，次年改年号雍正。雍正，葬清西陵之泰陵，他继承皇位，康熙六十一年（1722年）十一月十三日。特别是雍正七年（1729年）出兵青海，平定罗卜藏丹津叛乱。同时设置军机处加强皇权。雍正帝在位期间，实行改土归流。并且大力整顿财政1008），清朝第五位皇帝，定都北京后第三位皇帝

是电压为75V

1、稳压二极管(又叫齐纳二极管)它的电路符号是:，稳压二极管是一种用于稳定电压的单PN结二极管。此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。在这临界击穿点上，反向电阻降低到一个很少的数值，在这个低阻区中电流增加而电压则保持恒定，稳压二极管是根据击穿电压来分档的，因为这种特性，稳压管主要被作为稳压器或电压基准元件使用。

2、经常用于浪涌保护电路、电视机里的过压保护电路、电弧抑制电路、串联型稳压电路。

3、二极管的击穿通常有三种情况，即雪崩击穿、齐纳击穿和热击穿。

反向击穿是指当反向电压增加到某一特定数值时，反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使少子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。

在任何一种击穿中，若对其电流不加限制，都可能造成PN结永久性损坏。