再生晶圆和普通晶圆的区别

原料不同，制作方法不同。

1、原料不同。晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片，其原始材料是硅。再生晶圆的原料是被腐蚀的晶圆。

2、制作方法不一样。通过化学浸泡、物理研磨等方式，使控挡片表面重新恢复洁净、光滑，就是再生晶圆的生产过程。高纯度的多晶硅溶解后掺入硅晶体晶种，然后慢慢拉出，形成圆柱形的单晶硅。硅晶棒在经过研磨，抛光，切片后，形成硅晶圆片，也就是晶圆。

不吃鱼挺 科技 ：

对华为的禁令不是偶然，因为美国想要的正是芯片的垄断性优势，从而长久掌握 科技 主导的地位！从芯片设计到制造生产都拥有绝对的核心技术。而华为的出现彻底打破了高通对市场的独占，这是他们所不允许的“公平竞争”…

…这样做的后果却只会让中国自给自足。

微软创始人比尔盖茨对于制裁华为的禁令在的采访中这样表示。

造芯重中之重之一，半导体基础材料硅晶圆，是硅晶柱通过钻石刀片切割而出的晶圆片，尺寸越大生产难度越高。国内虽然需求量巨大，长期以来大多仰赖进口，而大尺寸技术由日本企业垄断。目前国产技术掌握的是小尺寸的量产，大尺寸的8寸和12寸的自产率仍很低。

新进展：上海新升12英寸硅晶圆技术并通过中芯国际的验证，虽然产能较低，但这是国产硅晶圆厂商的崛起！

而更艰难的是光刻工艺，正是华为栽跟头的“卡脖勒颈”之处！最新的NA EUV光刻技术为进军3nm工艺制程而准备，而中芯国际迟迟无法引进EUV光刻机，虽然突破达N+1工艺功耗可以接近7nm，但性能还无法到达，7nm也无法量产，更别说5nm的掘进…台积电和中芯都同样受到美国技术制约，高端光刻机也只有阿斯麦的全球唯一…所以开放7nm之时应该也是3nm商用之时，华为麒麟估计将被迫拉后成隔代产品…

“卡脖子”正是迫使努力的“鼓舞”！

国产造芯在紧追国际脚步的同时，更迈向 探索 新方向的突破！——石墨烯技术可以说是全球同时起步。硅晶圆片在日渐精细的工艺制程下，终要到达它的物理极限，据了解其极致点或是1nm，即使能生产也要考虑到良品率问题！而石墨烯的碳基晶圆被誉为是下一个芯片材料的替换品——国产8英寸石墨烯晶圆实现了小批量生产！

石墨烯被誉为在无数的纳米材料中最薄达0335纳米！有多薄？一根头发丝的20万分之一，难以置信，这么细都让人类发现了，那既然发现了就得拿来用！

石墨烯造芯片，怎么造？能否达到硅晶圆的级别，因为麒麟9000上可是塞了153亿颗晶体管！

据悉：使用石墨烯碳基晶圆制造芯片性能将会是硅基芯片的10倍以上，更重要的是功耗更低——提高性能同时减少发热量正是手机的极致追求…

而工艺制程上 的推测是28nm的碳基芯片就可以达到7nm的硅基芯片的水平，足足拉近了两代技术，而国产成熟制程可以达到14nm…也就是可以不使用极紫外光光刻机也能达到5nm的级别，论制造消耗也将降低很大的成本支出！

石墨烯材料如此神奇，据悉：在导电性上更是比硅强100倍，导热也比铜高10倍等等优势…都足以表明这是非常有潜力的半导体材料，但为何至今不推广使用？因为：贵！——据悉其价格高达5000元/克！

但价格绝对不是阻挡前进的脚步，关键在于技术，目前的水平在石墨烯提纯上依旧有很多杂质，所以还无法像硅晶柱一般量产，但国产8寸石墨烯晶圆的成功试产，也代表着一次成功的突破，完全足够作为国产技术的先进招牌！

并且据统计关于石墨烯领域的研究，国产研发已拥有37521件专利，占全球67%位居世界第一！

新领域的 探索 ，从被动到主动。掌握一项核心技术就获得一片领域的话语权，拥有技术的优势就能让所谓的禁令无效化，只有加强自研能力才能不再被牵着鼻子走——既然无法获得别人发挥到极致的技术，那就 探索 新技术自己去极致的发挥！

关系：晶圆和半导体衬底可以定义不同，也能是同一个材料只是功能不同，价格差距大。

晶圆是指硅半导体积体电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆；在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能之IC产品。

晶圆的原始材料是硅，而地壳表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅矿石经由电弧炉提炼，盐酸氯化，并经蒸馏后，制成了高纯度的多晶硅，其纯度高达099999999999。

性能参数

硅晶圆和硅太阳能电池分别是半导体材料和半导体器件的典型代表。半导体特性参数衡量和表征材料及其器件的性能。由于载流子是半导体材料及器件的功能载体，载流子移动形成电流及电场，同时载流子具有发光、热辐射等特性，因此载流子参数是表征半导体材料及器件载流子输运特性的基础，即载流子参数是硅晶圆和硅太阳能电池特性参数的重要组成部分。