请问电阻率的单位及换算关系？

这只是一种为了方便的表示

nΩ·m

n就是纳·，跟纳米的纳一个意思，表示10的-9次方（一下记作10e-9）即：1

nΩ·m

=

10e-9

Ω·m

Ω·mm²/m

是更为直观的表示，对照着电阻率公式

ρ=RS/L

可知Ω·mm²/m表达的是mm²横截面积下每米材料的电阻值（若公式中字母对应国际单位可写出Ω·m=Ω·m²/m

表示每m²横截面积下每m长度材料的电阻值）

换算公式

1

Ω·mm²/m

=

1

Ω·(10e-3m)²/m

=

10e-6

Ω·m²/m

电阻率的定义：ρ=Rs/l

电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。

在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s

其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度,

s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。由上式可知电阻率的定义：ρ=Rs/l

电阻定律：导体的电阻R跟它的长度L成正比，跟它的横截面积S成反比，还跟导体的材料有关系，这个规律就叫电阻定律(law

of

resistance)，公式为R=ρL/S

。其中ρ：制成电阻的材料电阻率，L：绕制成电阻的导线长度，S：绕制成电阻的导线横截面积，R：电阻值。

电阻率的计算公式为：ρ=RS/L

ρ为电阻率——常用单位Ω·m

S为横截面积——常用单位㎡

R为电阻值——常用单位Ω

L为导线的长度——常用单位m

电阻率的另一计算公式为：ρ=E/J

ρ为电阻率——常用单位Ω·mm2/m

E为电场强度——常用单位N/C

J为电流密度——常用单位A/㎡

望采纳，O(∩_∩)O谢谢！

电阻率（resistivity）是用来表示各种物质电阻特性的物理量。在常温下（20℃时），某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。　在温度一定的情况下，有公式R=ρl/s其中的ρ就是电阻率，l为材料的长度， s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。 由上式可知电阻率的定义：ρ=Rs/l

严格来讲：电阻率不全是推导的，可以叫一种定义。

1、电阻率：某种材料制成的长1米、横截面积是1平方毫米的在常温下（20℃时）导线的电阻，叫做这种材料的电阻率。即 ρ=RS/L ,

计算导体电阻时：R=ρ（L/S）

2、 在温度一定的情况下，有公式R=ρL/s 其中的ρ就是电阻率，L为材料的长度, s为面积。可以看出，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。

3、电阻率的定义：ρ=Rs/L电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。

4、在温度变化不大的范围内，：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，

即ρ=ρo(1+at)。

式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。

导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(lawofresistance)，公式为R=ρL/S。其中ρ：制成电阻的材料的电阻率，L：绕制成电阻的导线长度，S：绕制成电阻的导线横截面积，R：电阻值。

导体的电阻R跟它的长度L、电阻率ρ成正比，跟它的横截面积S成反比，这个规律就叫电阻定律(law of resistance)，公式为R=ρL/S ，其中ρ为制成电阻的材料的电阻率，L为绕制成电阻的导线长度，S为绕制成电阻的导线横截面积，R为电阻值。

1电阻率ρ不仅和导体的材料有关,还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内,几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化,即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度,ρo是0℃时的电阻率,a是电阻率温度系数。

⒉由于电阻率随温度改变而改变,所以对于某些电器的电阻,必须说明它们所处的物理状态。如一个220V-100W电灯灯丝的电阻,通电时是484欧姆,未通电时只有40欧姆左右。

⒊电阻率和电阻是两个不同的概念。电阻率是反映物质导电性能好坏的属性,电阻是反映物体对电流阻碍作用的属性。

电阻率是一个反应材料导电性能的物理量。

电阻率数值上等于单位长度、单位截面的某种物质的电阻，其倒数为电导率。电阻率与导体的长度、横截面积等因素无关,是导体材料本身的电学性质，由导体的材料决定，且与温度有关。

电阻率在国际单位制中的单位是Ω·m，读作欧姆·米，简称欧·米。常用单位为"欧姆·厘米"。

电阻率较低的物质被称为导体,常见导体主要为金属,而自然界中导电性最佳的是银。其他不易导电的物质如玻璃、橡胶等,电阻率较高,一般称为绝缘体。介于导体和绝缘体之间的物质(如硅)则称半导体。

电阻率与电阻阻值大小的有何关系：

（1）当电阻的长度和截面积相同时，电阻的阻值与电阻率成正比。

（2）导体的电阻R跟它的长度L成正比，跟它的横截面积S成反比，公式为R=ρL/S 。其中ρ：制成电阻的材料的电阻率，L：绕制成电阻的导线长度，S：绕制成电阻的导线横截面积，R：电阻值。

由此可见，当电阻的长度和截面积相同时，电阻的阻值与电阻率成正比，即电阻率越大的电阻的阻值越大。

扩展资料：

电阻的分类：

a按阻值特性:固定电阻、可调电阻、特种电阻(敏感 电阻)。

不能调节的,我们称之为固定电阻,而可以调节的,我们称之为可调电阻常见的例如收音机音量调节的,主要应用于电压分配的,我们称之为电位器

b按制造材料:碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻等。

c按安装方式: 插件电阻、贴片电阻。

关于电阻率ρ的说明：

电阻率ρ不仅和导体的材料有关，还和导体的温度有关。在温度变化不大的范围内：几乎所有金属的电阻率随温度作线性变化，即ρ=ρo(1+at)。式中t是摄氏温度，ρo是O℃时的电阻率，a是电阻率温度系数。

由于电阻率随温度改变而改变，所以对于某些电器的电阻，必须说明它们所处的物理状态。如一个220 V -100 W电灯灯丝的电阻，通电时是484欧姆，未通电时只有40欧姆左右。

参考资料：

（一）野外实际应用的视电阻率公式

水平电偶极子频率电磁测深常采用赤道装置[图3-17（a）φ＝90°的装置],这时远区视电阻率振幅计算公式与直流电测深类似,即

电法勘探技术

电法勘探技术

式中：Ex为电场水平分量振幅值；Hz为磁场垂直分量振幅值；ω为角频率（圆频率）,ω＝2πf,f为工作频率；ΔUE＝MN·Ex,为测量电极M、N之间的电位差；εH＝ωμ0nsHz,εH为接收线圈的感应电动势,n和s分别为接收线圈的圈数和面积,μ为介质的磁导率（或称绝对磁导率）,μ0为真空的磁导率,μ0＝4π×10－7H/m；KE和KH为装置系数,其值分别为

电法勘探技术

式中：r为收-发距。此外,通过被测信号的相位与供电电流初始相位的比较,还可得到电、磁场的相位差ΔφE和ΔφH。

实测的视电阻率曲线一般绘于以 T为横坐标（T为周期）及以ρω为纵坐标的双对数坐标系中。相位曲线则绘于以 T为横坐标（对数）及以Δφ为纵坐标（算术坐标）的单对数坐标系中。

（二）水平地层的视电阻率曲线特征

频率测深视电阻率曲线的绘制,与前面讨论的大地电磁测深视电阻率曲线绘制完全相同。大地电磁测深曲线属于波区电磁测深曲线。在人工源频率测深中,高频情况下也为波区,故其所有电磁场分量定义的测深变化规律与大地电磁测深曲线的规律完全相同,这一重要的共同点是由它们的平面电磁波性质决定的。

随着频率的降低出现非波区,在频率测深的这一频段上,视电阻率不仅是地电参数和频率的函数,还与发-收距大小、使用的场源类型、使用的测量装置类型和测量的电磁场分量密切相关。不同电磁场分量所定义的视电阻率曲线具有不同特征,曲线变得较为复杂。下面主要分析目前应用最多的电偶源赤道装置在水平层状地层上的视电阻率理论曲线。

1均匀大地半空间的频率测深曲线

图3-19给出了均匀大地表面的频率测深视电阻率曲线。可以看出,电场Ex（赤道装置）或磁场Hz确定的视电阻率左支渐近线,均能给出均匀大地的真电阻率,这一段乃属波区。对于电场视电阻率 曲线,随着频率的降低,在低频段出现ρω＝ρ1/2的右支渐近线。这一段属于S区。在低频段,磁场定义的视电阻率 曲线以63°26′角度下降,是由于随频率降低,感应电动势减小所引起的。

图3-19 在均匀大地表面上电偶极源频率测深曲线

2水平二层断面的频率测深曲线

图3-20给出了ρ2→∞情况下不同收发距的电场（Ex）和磁场（Hz）频率测深理论曲线。由图可见,在高频段均出现干涉性假极小值。对于电场曲线,随着频率降低, 曲线急剧上升之后经过不明显的极大值趋向S区的水平渐近线,其值等于相应极距直流视电阻率的一半。对于磁场 曲线,急剧上升后经过明显的极大值后以63°26′角下降。在图上给出S线。实际上,该线是收-发距无穷大时波区二层曲线,可见,随着r的增加,有限收-发距的频率测深曲线趋向于波区曲线。

图3-20 ρ2→∞时频率测深二层振幅理论曲线

（a）电场曲线；（b）磁场曲线

图3-21是ρ2→0时的水平二层断面频率测深曲线。在这种情况下,不仅没有特有的极小值,而且随着收-发距的增大曲线差异较小。对于电场曲线,当r/h1＞3时各条下降曲线基本全通过ρω/ρ1＝1、λ1/h1＝8的坐标原点；而对于磁场曲线,当r/h1＞4时各条下降渐近线通过上述坐标原点。利用这一性质可解释出第一层厚度h1。

图3-21 ρ2→0时频率测深二层振幅理论曲线

（a）电场曲线；（b）磁场曲线

3水平三层断面的频率测深曲线

与直流电测深一样,频率测深理论曲线也可分为二层、三层及多层曲线。理论振幅曲线以ρω/ρ1为纵轴、以λ1/h1为横轴,绘在双对数坐标系上。根据组成地电断面参数的不同,我们依然将三层曲线按直流电测深的命名方法,分为H、A、K及Q型曲线。

因H型和K型断面是频率测深曲线地质效果明显的地电断面,所以下面主要讨论H型和K型测深曲线。H型断面频率测深振幅曲线由以下几部分组成（r/h1＜2）：左支渐近线ρω/ρ1＝1；高频段幅度不大的干涉性假极大值；下降的左支曲线,它以假极大值结束；上升的右支曲线；低频段极大值以及右支水平渐近线（对于电场曲线）和－63°26′角度下降的渐近线（对于磁场曲线）。作为例子,图3-22给出了典型的H型断面频率测深振幅理论曲线。曲线上的数字为r/H,H＝h1+h2。由图可见,在高频段不同收-发距的所有曲线均重合在一起,且经过理论坐标原点。这一部分实际上处于波区。这样,可进一步看出,在波区不管是磁场分量还是电场分量都遵循同一种规律,即曲线形态只依赖于地电断面参数,而与收-发距无关。

图3-22 H型断面频率测深振幅理论曲线

（a）磁场曲线；（b）电场曲线

如果,我们对ρ3→∞情况下电场视电阻率曲线的右支渐近线按不同的r值画出ρω（r）曲线,则在双对数坐标系中将看到该线成为45°角的上升渐近线。这便充分证明了S区电场规律与直流电场规律相同。

图3-23 K型电场曲线与收-发距的关系

图3-23是一K型断面的频率测深曲线。从图中可以看到,收-发距对K型曲线形态产生实质性影响。该断面的μ2＝32,v2＝4,μ3＝1/28,在曲线上r/h1＝4、10、15、20、25、30、40,以虚线给出μ2＝32的收-发距为r/h1＝4、10、20的二层曲线。由图可见,在小的收-发距条件下（r/h1＝4）,K型曲线和二层G曲线完全重合。固然,这时不能研究高阻层厚度及其下伏地层。随着收 发距的增加,两类曲线不再重合了。因此,在实际工作中为了区分断面类型是二层G型还是三层K型,最好利用差别很大的两种收-发距进行观测。另外,从图中还可以看出,在中等收-发距条件下,曲线形状类似于二层曲线,且在低频率段视电阻率值与收-发距的关系不明显。在足够大的收-发距条件下（r/h1＝40）才可出现较典型的K型曲线。对这一曲线的解释无论从定性上还是定量上均较方便。